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GaAs solar cells 砷化镓太阳电池
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地面用高倍聚光太阳电池

CL-HCTJ-100C

电池材料:GaInP2/GaAs/Ge;

减反射膜:TiOx/Al2O3

芯片尺寸:11×10.2 mm2±0.01mm2

                (产品尺寸可根据客户要求定制)

有效面积:100 mm2

芯片厚度:175±20μm;

电池电极:N-P

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  • 产品特点
  • 产品应用

地面用高倍聚光砷化镓三结太阳电池芯片,具有转换效率高、可靠性优异、抗辐照能力强等优点,产品各项性能指标达到国内领先、国际先进水平,产品的典型性能参数如下:

1、批产转换效率η≥40%(AM1.5,500sun);

2、最高转换效率超过41%(AM1.5,500sun)。

已广泛应用于地面高倍聚光光伏电站。